概述

存储器分类

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其中（1）是易失的，另外三个是非易失的

主要相当于是三种：第一种是半导体存储器，利用0和1代表低电平和高电平；第二种是磁表面存储器，利用磁头读出与写入；第三种是光盘存储器，利用光烧制。

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RAM即随机存储器，ROM即只读存储器

存储器的层次结构

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缓存和主存用硬件连接成一个整体，主要解决速度问题；

主存和辅存用软硬件结合的方式连接成一个整体，主要解决容量问题。

主存储器

概述

主存的基本组成

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主存与CPU之间的联系

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主存中存储单元地址的分配

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主存的技术指标

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半导体存储芯片简介

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片选线：芯片选择信号，指出操作给出的地址是不是针对存储芯片的地址，被选择的字节是否在芯片中

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片选线让某一个芯片或某一组芯片开始工作。

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随机存取存储器（RAM）

静态RAM（SRAM）

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WE是读写控制信号（低电平为写，高电平为读）

CS是片选信号，只有是低电平时芯片才会被选中

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动态RAM（DRAM）

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若读放大器一侧为0，则经过后另一侧变为1（即变成相反），所以读出与原存信息相反

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读出的时候做一次反向，写入的时候再做一次反向，所以写入与输入信息相同

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动态RAM和静态RAM的比较

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只读存储器（ROM）

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存储器与CPU的连接

存储器容量的扩展

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存储器与CPU的连接

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存储器的校验

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由于百分之90出现的错误是1位错，所以默认为1位错，即3中110默认为111出现1位错，而不是000出现2位错

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默认为偶校验

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提高访存速度的措施

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由于顺序存储，会出现某个存储体非常忙，其余的存储体非常闲的问题。

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高位交叉主要应用于存储器容量的扩展，低位交叉用于存储器带宽和访问速度的提高

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高速缓冲存储器

概述

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主存和缓存按块存储，块的大小相同，B为块长

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写直达法的缺点：容易出现对同一个块频繁操作，而其他块不改变（例如累加操作）

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分立缓存是将指令Cache和数据Cache区分开

Cache—主存的地址映射

直接映射

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优点：结构简单，速度快

缺点：利用率可能很低；调入时冲突概率大；不灵活

全相联映射

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优点：利用率高

缺点：成本高；速度较低

组相联映射

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即 i = j mod Q，是直接映射和全相联映射的结合

越靠近CPU的Cache对于速度要求越高，所以使用直接映射或者路数较少的组相联映射；中间的Cache使用组相联映射；距离CPU最远的对于利用率的要求较高，使用全相联映射。

替换算法

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辅助存储器

概述

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磁记录原理

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硬磁盘存储器

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软磁盘存储器

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软盘已经被淘汰

光盘存储器

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